Пент-1-ин
Бут-1-ин
Бут-1-ин, також відомий як 1-бутин, є алкіном з хімічною формулою C₄H₆. Він є одним з членів гомологічного ряду алкінів і має важливі застосування у хімічній та промисловій галузях. HC ≡ C − CH 2 − CH 3 Фізичні властивості Бут-1-ин(1-бутин) має наступні фізичні властивості: Ці фізичні властивості визначаються молекулярною структурою та міжмолекулярними взаємодіями бут-1-ину. Вони …
Пропін
Ацетилен
Ацетилен – це є найпростішим алкіном і має хімічну формулу C₂H₂, також відомий як етин. Це безбарвний газ з характерним запахом. Ацетилен є дуже реактивною речовиною і має широкий спектр застосувань. Фізичні властивості ацетилену Основні фізичні властивості ацетилену включають: Це загальні фізичні властивості ацетилену, але слід зазначити, що деякі з цих властивостей можуть змінюватися залежно …
Алкіни
2N7000
2N7000 – це N-канальний MOSFET транзистор зі своїми унікальними характеристиками. Використовується для комутації та підсилення слабких сигналів в різних електронних додатках. Характеристики Параметр Значення Тип транзистора N-канал MOSFET Максимальний допустимий струм стоку (Id) 200 мА Максимальна напруга сток-виток (Vds) 60 В Максимальна напруга виток-виток (Vgs) ±20 В Максимальна напруга виток-земля (Vgs(th)) 0.8 – 3 В …
Прості числа
IRF1104
IRF1104 є N-канальним MOSFET-транзистором, який може працювати зі значними струмами та високими напругами. Він має низький опір сток-витік (Rds(on)) та велику потужність розсіювання (Pd), що робить його популярним в застосуваннях, де потрібен високий рівень продуктивності та енергоефективності. IRF1104 характеристики Параметр Значення Тип транзистора N-канал MOSFET Максимальний допустимий струм стоку (Id) 110 А Максимальна напруга сток-виток …
IRF1010E
IRF1010E – це N-канальний MOSFET транзистор, який використовується для керування високими струмами і напругами. Він має низький опір сток-виток (Rds(on)) і високу потужність розсіювання (Pd), що дозволяє використовувати його в потужних застосуваннях. Характеристики транзистора IRF1010E Параметр Значення Тип транзистора N-канал MOSFET Максимальний допустимий струм стоку (Id) 84 А Максимальна напруга сток-виток (Vds) 55 В Максимальна …