2N7000 – це N-канальний MOSFET транзистор зі своїми унікальними характеристиками. Використовується для комутації та підсилення слабких сигналів в різних електронних додатках. Характеристики Параметр Значення Тип транзистора N-канал MOSFET Максимальний допустимий струм стоку (Id) 200 мА Максимальна напруга сток-виток (Vds) 60 В Максимальна напруга виток-виток (Vgs) ±20 В Максимальна напруга виток-земля (Vgs(th)) 0.8 – 3 В …
IRF1104 є N-канальним MOSFET-транзистором, який може працювати зі значними струмами та високими напругами. Він має низький опір сток-витік (Rds(on)) та велику потужність розсіювання (Pd), що робить його популярним в застосуваннях, де потрібен високий рівень продуктивності та енергоефективності. IRF1104 характеристики Параметр Значення Тип транзистора N-канал MOSFET Максимальний допустимий струм стоку (Id) 110 А Максимальна напруга сток-виток …
IRF1010E – це N-канальний MOSFET транзистор, який використовується для керування високими струмами і напругами. Він має низький опір сток-виток (Rds(on)) і високу потужність розсіювання (Pd), що дозволяє використовувати його в потужних застосуваннях. Характеристики транзистора IRF1010E Параметр Значення Тип транзистора N-канал MOSFET Максимальний допустимий струм стоку (Id) 84 А Максимальна напруга сток-виток (Vds) 55 В Максимальна …