IRF1010E – це N-канальний MOSFET транзистор , який використовується для керування високими струмами і напругами. Він має низький опір сток-виток (Rds(on)) і високу потужність розсіювання (Pd), що дозволяє використовувати його в потужних застосуваннях.
Характеристики транзистора IRF1010E Параметр Значення Тип транзистора N-канал MOSFET Максимальний допустимий струм стоку (Id) 84 А Максимальна напруга сток-виток (Vds) 55 В Максимальна напруга виток-виток (Vgs) ±20 В Максимальна напруга виток-земля (Vgs(th)) 2 – 4 В Опір сток-виток при насиченні (Rds(on)) 10 мΩ Потужність розсіювання (Pd) 110 Вт Коефіцієнт передачі напруги (Vgs/Vth) 5 – 10 Тип корпусу TO-220AB
Аналоги транзистора IRF1010E Параметр IRF1010E IRLB8721PbF (Infineon) STP55NF06L (STMicroelectronics) FDP8880 (Fairchild) Тип транзистора N-канал MOSFET N-канал MOSFET N-канал MOSFET N-канал MOSFET Максимальний допустимий струм стоку (Id) 84 А 62 А 50 А 80 А Максимальна напруга сток-виток (Vds) 55 В 30 В 60 В 80 В Максимальна напруга виток-виток (Vgs) ±20 В ±20 В ±20 В ±20 В Максимальна напруга виток-земля (Vgs(th)) 2 – 4 В 1 – 2 В 2 – 4 В 2 – 4 В Опір сток-виток при насиченні (Rds(on)) 10 мΩ 3,5 мΩ 18 мΩ 8 мΩ Потужність розсіювання (Pd) 110 Вт 85 Вт 66 Вт 140 Вт Коефіцієнт передачі напруги (Vgs/Vth) 5 – 10 5 – 10 5 – 10 5 – 10 Тип корпусу TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB
