IRF1104 є N-канальним MOSFET-транзистором , який може працювати зі значними струмами та високими напругами. Він має низький опір сток-витік (Rds(on)) та велику потужність розсіювання (Pd), що робить його популярним в застосуваннях, де потрібен високий рівень продуктивності та енергоефективності.
IRF1104 характеристики Параметр Значення Тип транзистора N-канал MOSFET Максимальний допустимий струм стоку (Id) 110 А Максимальна напруга сток-виток (Vds) 55 В Максимальна напруга виток-виток (Vgs) ±20 В Максимальна напруга виток-земля (Vgs(th)) 2 – 4 В Опір сток-виток при насиченні (Rds(on)) 0.0115 Ом Потужність розсіювання (Pd) 73 Вт Коефіцієнт передачі напруги (Vgs/Vth) 5 – 10 Тип корпусу TO-220AB
Аналоги IRF1104 Параметр IRF1104 IRL1104 (Infineon) IPP110N06N3G (Infineon) FQP17P06 (Fairchild) Тип транзистора N-канал MOSFET N-канал MOSFET N-канал MOSFET P-канал MOSFET Максимальний допустимий струм стоку (Id) 110 А 75 А 75 А 17 А Максимальна напруга сток-виток (Vds) 55 В 55 В 60 В 60 В Максимальна напруга виток-виток (Vgs) ±20 В ±20 В ±20 В ±20 В Максимальна напруга виток-земля (Vgs(th)) 2 – 4 В 2 – 4 В 2 – 4 В – Опір сток-виток при насиченні (Rds(on)) 0.0115 Ом 0.015 Ом 0.015 Ом 0.4 Ом Потужність розсіювання (Pd) 73 Вт 65 Вт 67 Вт 68 Вт Коефіцієнт передачі напруги (Vgs/Vth) 5 – 10 5 – 10 5 – 10 – Тип корпусу TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB
