2N7000 – це N-канальний MOSFET транзистор зі своїми унікальними характеристиками. Використовується для комутації та підсилення слабких сигналів в різних електронних додатках.
Характеристики
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип транзистора | N-канал MOSFET |
| Максимальний допустимий струм стоку (Id) | 200 мА |
| Максимальна напруга сток-виток (Vds) | 60 В |
| Максимальна напруга виток-виток (Vgs) | ±20 В |
| Максимальна напруга виток-земля (Vgs(th)) | 0.8 – 3 В |
| Опір сток-виток при насиченні (Rds(on)) | 5 Ом |
| Потужність розсіювання (Pd) | 350 мВт |
| Коефіцієнт передачі напруги (Vgs/Vth) | 2 – 4 |
| Тип корпусу | TO-92 |
Аналоги транзистора 2N7000
| Транзистор | Виробник |
|---|---|
| BS170 | ON Semiconductor |
| IRLML2402 | Infineon Technologies |
| TN0702 | STMicroelectronics |
| SI2301 | Silicon Laboratories |
| ZXMN2F30F | Diodes Incorporated |
| NTJD5121NT1G | ON Semiconductor |
Ці транзистори мають схожі характеристики. Вони можуть використовуватись у різних електронних схемах та додатках, де необхідний N-канальний MOSFET-транзистор.